[发明专利]激光退火装置有效
| 申请号： | 201680081336.2 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108780744B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 池上浩;大久保智幸;若林理 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 激光退火装置具备：CW激光装置，其输出对非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对已被进行了预热的非晶硅输出脉冲激光；光学系统，其将CW激光和脉冲激光引导至非晶硅；以及控制部，其控制CW激光的照射能量密度，以便将非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的非晶硅结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，该激光退火装置对在基板上形成有非晶硅的被照射物照射基于脉冲振荡的脉冲激光而进行退火，在该激光退火装置中具备：CW激光装置，其输出对所述非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对预热后的所述非晶硅输出所述脉冲激光；光学系统，其将所述CW激光和所述脉冲激光引导至所述非晶硅；以及控制部，其控制所述CW激光的照射能量密度，以便将所述非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制所述脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的所述非晶硅结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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