[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201680077170.7 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN108475628B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 枝光建治;藤谷佳礼;岸田拓也;松村刚至 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的基板处理装置中，从喷出管(7)向供给位置(SP)供给的处理液的液流，通过液流分散构件(8)被大致分散为朝向处理槽(1)中央的底面侧液流、以及朝向处理槽(1)中央的斜上方的液流这两个部分。因此，由于能够使较强的液流分散为在处理槽(1)的中央部上升的处理液的液流，以及从斜下方与该液流合流的液流，因此该液流在基板(W)表面的中央部以相对较宽的宽度上升。其结果是，由于能缓和在基板(W)表面附近的处理液流动的差异，因此能够提高处理的面内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，利用处理液对基板进行规定的处理，其特征在于，包括：处理槽，贮存处理液，容纳基板并对基板进行处理；一对喷出管，配置在所述处理槽的底部侧、并配置在所容纳的基板的左右方向上，向比所述处理槽的底面中央更靠近所述喷出管的供给位置供给处理液；以及液流分散构件，配置在一对所述喷出管中的每个喷出管和与一对所述喷出管相对应的所述供给位置之间，并与所述处理槽的底面之间隔着间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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