[发明专利]制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法有效
申请号: | 201680075231.6 | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN108431693B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 玛丽亚·皮特;埃里克·阿奇里斯·阿贝格;A·J·M·吉斯贝斯;J·H·克洛特韦克;马克西姆·A·纳萨勒维奇;W·T·A·J·范登艾登;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B01D67/00;G03F1/62;G21K1/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 披露了制造用于光刻设备的表膜的方法。在一种配置中,该方法包括将至少一个石墨烯层(2)沉积在衬底(6)的平坦表面(4)上。该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分(12)。该方法还包括移除第一衬底部分,以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜(14)。该独立隔膜由第二衬底部分支撑。 | ||
搜索关键词: | 制造 用于 光刻 设备 方法 器件 处理 | ||
【主权项】:
1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法,包括:将至少一个石墨烯层沉积在衬底的平坦表面上,其中,所述衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分;和移除所述第一衬底部分,以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜,所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑。
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