[发明专利]成膜装置以及成膜方法在审
| 申请号： | 201680074911.6 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108368604A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 地大英隆;松田亮二 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供降低从目标膜厚的偏移的成膜装置。成膜装置(1)是(n+1)层以上(n是1以上的正整数。)的多层膜的成膜装置。成膜装置(1)具备：鼓(10)，其一边支承基板(50)一边旋转；成膜机构(20)，其对基板(50)进行成膜处理；以及控制机构(40)，其是控制鼓(10)的旋转的控制机构(40)，根据多层膜的目标膜厚、初始设定的成膜机构(20)的成膜速率以及初始设定的鼓(10)的转速计算鼓(10)的旋转数，并调整鼓(10)的转速，使计算出的鼓(10)的旋转数接近整数。 | ||
| 搜索关键词： | 成膜装置 成膜机构 初始设定 多层膜 目标膜 旋转数 成膜 成膜处理 支承基板 转速计算 对基板 正整数 偏移 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，是(n+1)层以上(n是1以上的正整数)的多层膜的成膜装置，其中，具备：旋转体，其一边支承被成膜物一边旋转；成膜机构，其对所述被成膜物进行成膜处理；以及控制机构，其是控制所述旋转体的旋转的控制机构，且根据所述多层膜的目标膜厚、初始设定的所述成膜机构的成膜速率以及初始设定的所述旋转体的转速来计算所述旋转体的旋转数，并调整所述旋转体的转速，使计算出的所述旋转体的旋转数接近整数。
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