[发明专利]成膜装置以及成膜方法在审

专利信息
申请号: 201680074911.6 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN108368604A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 地大英隆;松田亮二 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋;杨林森
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成膜装置 成膜机构 初始设定 多层膜 目标膜 旋转数 成膜 成膜处理 支承基板 转速计算 对基板 正整数 偏移
【说明书】:

本发明提供降低从目标膜厚的偏移的成膜装置。成膜装置(1)是(n+1)层以上(n是1以上的正整数。)的多层膜的成膜装置。成膜装置(1)具备:鼓(10),其一边支承基板(50)一边旋转;成膜机构(20),其对基板(50)进行成膜处理;以及控制机构(40),其是控制鼓(10)的旋转的控制机构(40),根据多层膜的目标膜厚、初始设定的成膜机构(20)的成膜速率以及初始设定的鼓(10)的转速计算鼓(10)的旋转数,并调整鼓(10)的转速,使计算出的鼓(10)的旋转数接近整数。

技术领域

本发明涉及成膜装置以及成膜方法,特别是涉及能够降低从目标膜厚的偏移的技术。

背景技术

已知有溅射法、蒸镀法之类的用于形成薄膜的成膜技术。使薄膜的膜厚均匀化在实现该薄膜的功能上较重要。特别是在遍及多层地层叠金属、电介质等的多层膜中,若在层彼此中层厚变动则对相对于多层膜整体的膜厚的影响较大。作为多层膜,例如有防反射膜等光学膜。

专利文献1公开了降低薄膜的膜厚的差的技术。

在专利文献1中,使基板10以蒸镀开始时的基板10上的蒸镀位置与蒸镀结束时的基板10上的蒸镀位置一致的方式旋转(第一实施方式),或者根据目标膜厚不均值a设定基板10的转速(第二实施方式),或者根据目标膜厚不均值a、成膜速度α以及所希望膜厚d设定基板10的转速(第三实施方式)。

专利文献1:日本特开2003-321770号公报

然而,在使多层膜成膜的情况下,若如专利文献1的第一实施方式所涉及的技术那样,仅欲使成膜开始时的成膜位置与成膜结束时的成膜位置一致,则延长成膜时间,产生从目标膜厚的偏移。若如专利文献1的第二以及第三实施方式所涉及的技术那样,欲根据目标膜厚不均值a等设定基板的转速,则虽然抑制层内的层厚差,但在层彼此产生微小的层厚的误差,在将它们层叠而成的多层膜中产生从目标膜厚的偏移。

发明内容

因此,本发明的主要的目的在于提供能够降低从目标膜厚的偏移的成膜装置以及成膜方法。

为了实现上述的目的中的至少一个,反映了本发明的一个侧面的成膜装置具有以下特征。

在(n+1)层以上(n是1以上的正整数)的多层膜的成膜装置中,具备:

旋转体,其一边支承被成膜物一边旋转;

成膜机构,其对上述被成膜物进行成膜处理;以及

控制机构,其是控制上述旋转体的旋转的控制机构,且根据上述多层膜的目标膜厚、初始设定的上述成膜机构的成膜速率以及初始设定的上述旋转体的转速来计算上述旋转体的旋转数,并调整上述旋转体的转速,使计算出的上述旋转体的旋转数接近整数。

另外,为了实现上述的目的中的至少一个,反映了本发明的一个侧面的成膜方法具有以下特征。

在使用了具备一边支承被成膜物一边旋转的旋转体以及对上述被成膜物进行成膜处理的成膜机构的成膜装置的、(n+1)层以上(n是1以上的正整数)的多层膜的成膜方法中,

根据上述多层膜的目标膜厚、初始设定的上述成膜机构的成膜速率以及初始设定的上述旋转体的转速计算上述旋转体的旋转数,并调整上述旋转体的转速,使计算出的上述旋转体的旋转数接近整数。

根据本发明,能够降低从目标膜厚的偏移。

附图说明

图1是表示成膜装置(溅射装置)的构成的示意图。

图2A是用于说明成膜开始时的基板的位置关系的图。

图2B是用于说明成膜结束时的基板的位置关系的图。

图3是用于说明第n层的第m区的成膜与第(m+1)区的成膜的关系的图。

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