[发明专利]用于测量光刻设备的聚焦性能的方法和图案形成装置及设备、器件制造方法有效
| 申请号： | 201680074454.0 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108369389B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | P·C·赫因恩;S·G·J·马西森;M·R·古森;M·范德斯卡;A·J·登鲍埃夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光刻设备(LA)在衬底上印制产品特征和至少一个聚焦量测图案(T)。焦点量测图案由反射式掩模版限定，并且使用以倾斜角度(θ)入射的EUV辐射(404)执行印制。聚焦量测图案包括第一特征(422)组的周期性阵列。相邻的第一特征组之间的间隔(S1)远大于每个组内的第一特征的尺寸(CD)。由于倾斜的照射，印制的第一特征作为聚焦误差的函数而变形和/或位移。可以提供第二特征424作为可以看到第一特征的位移的参考。这种变形和/或位移的测量值可以通过测量不对称性作为印制的图案的性质而得到。测量可以在更长的波长下完成，例如在350‑800nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 光刻 设备 聚焦 性能 方法 图案 形成 装置 器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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