[发明专利]计量方法、目标和衬底在审
| 申请号： | 201680067807.4 | 申请日： | 2016-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN108292103A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | D·M·斯洛特布姆;A·J·登博夫;M·艾伯特 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种测量光刻工艺的参数的方法，该方法包括：利用辐射照射衬底上的衍射测量目标，测量目标包括至少第一子目标、至少第二子目标和至少第三子目标，其中第一、第二和第三子目标均包括周期性结构，并且其中第一、第二和第三子目标均具有不同的设计，并且其中至少两个子目标分别被设计用于确定不同的光刻工艺参数；以及检测由至少两个子目标散射的辐射，以针对该目标获取表示光刻工艺的不同参数的测量值。 | ||
| 搜索关键词： | 子目标 衬底 测量 光刻工艺参数 周期性结构 光刻工艺 目标获取 衍射测量 辐射 测量光 散射 照射 计量 检测 | ||
【主权项】：
1.一种测量光刻工艺的参数的方法，所述方法包括：利用辐射照射衬底上的衍射测量目标，所述测量目标包括至少第一子目标、至少第二子目标和至少第三子目标，其中所述第一子目标、所述第二子目标和所述第三子目标均包括周期性结构，并且其中所述第一子目标、所述第二子目标和所述第三子目标均具有不同的设计，并且其中所述子目标中的至少两个子目标分别被设计用于确定不同的光刻工艺参数；以及检测由所述至少两个子目标散射的辐射，以针对该目标获取表示所述光刻工艺的不同参数的测量值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680067807.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造隔膜组件的方法
- 下一篇：光刻设备及方法
