[发明专利]电磁波吸收体以及具备该电磁波吸收体的带有电磁波吸收体的成形体有效
| 申请号： | 201680062050.X | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108353521B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 山形一斗;待永广宣;宇井丈裕;请井博一;北川祐矢;佐佐和明 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;B32B27/18;B32B27/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁波吸收体 电介质层 氧化铟锡 电阻层 高分子薄膜 薄层电阻 成形体 导电层 氧化锡 | ||
【主权项】：
1.一种电磁波吸收体，其特征在于，其具有：由高分子薄膜构成的电介质层、在电介质层的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层、和在电介质层的第2面的导电层，所述导电层具有比所述电阻层低的薄层电阻，所述电阻层的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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