[发明专利]用于射频（RF）电路的隔离型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件在审
| 申请号： | 201680061317.3 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN108140612A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | D·D·金;C·H·芸;J-H·J·兰;N·S·穆达卡特;金钟海;M·M·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/762;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;杜波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于射频(RF)电路的隔离型互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。在一些方面，RF电路包括CMOS器件、具有限定CMOS器件的掺杂区的硅衬底、以及穿过硅衬底的沟槽(524)。穿过硅衬底的沟槽形成围绕CMOS设备之一的掺杂区的连续通道，以将CMOS器件与硅衬底上实施的其他CMOS器件电隔离。通过这样做，与常规CMOS器件(例如，块状CMOS)的性能特性相比，可以改善CMOS器件的性能特性，例如线性和信号隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 互补金属氧化物半导体 性能特性 掺杂区 隔离型 射频 电路 穿过 沟槽形成 连续通道 信号隔离 电隔离 | ||
【主权项】：
一种射频(RF)电路，包括：多个互补金属氧化物半导体(CMOS)器件；硅衬底，所述硅衬底具有限定所述多个CMOS器件的掺杂区；以及穿过所述硅衬底的沟槽，所述沟槽形成围绕所述多个CMOS器件中的CMOS器件的所述掺杂区的连续通道，以将所述CMOS器件与所述多个CMOS器件中的被实施在所述硅衬底上的至少一个其他CMOS器件电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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