[发明专利]半导体晶片的加工方法

摘要

首先将半导体单晶锭切片，制作薄圆板状的晶片(切片工序)，通过在该晶片的第一面整体涂覆固化性材料来形成平坦化的涂覆层后(涂覆层形成工序)，使该涂覆层固化(涂覆层固化工序)。接着，借助研磨装置将与晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨后，从晶片的第一面除去涂覆层。进而借助研磨装置将晶片的第一面平面研磨。对上述切片工序后且上述涂覆层形成工序前的晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在10~100mm的波长区域的晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时，重复多次涂覆层形成工序及涂覆层固化工序。

主权项

1.一种半导体晶片的加工方法，前述半导体晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序，在前述切片工序，借助线锯装置将半导体单晶锭切片，得到薄圆板状的半导体晶片，在前述涂覆层形成工序，在前述晶片的第一面整体涂覆固化性材料，由此形成平坦化的涂覆层，在前述涂覆层固化工序，使前述涂覆层固化，在前述第1平面研磨工序，以已固化的前述涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台，接着借助前述研磨装置将与前述晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨，在涂覆层除去工序，将已固化的前述涂覆层从前述晶片的第一面除去，在前述第2平面研磨工序，以已除去前述涂覆层的前述晶片的第二面抵接于前述研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台，接着借助前述研磨装置将前述晶片的第一面平面研磨，其特征在于，对前述切片工序后且前述涂覆层形成工序前的前述晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在10~100mm的波长区域的前述晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时，重复多次前述涂覆层形成工序及前述涂覆层固化工序。