[发明专利]用于产生中子的设备和方法在审
| 申请号： | 201680057524.1 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN108140431A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 阿拉舍·摩法卡米 | 申请（专利权）人： | 诺伊斯卡公司 |
| 主分类号： | G21B1/19 | 分类号： | G21B1/19;H05H3/06;H05H6/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 法国枫*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于产生和/或捕获中子的方法，包括以下步骤：a)使选自质子、氘核和/或氚核的核暴露于电场，以提取所述核并将如此提取的所述核朝着包含自由电子的靶(20)导向；b)例如，将所述核暴露于第一磁场的空间和/或时间梯度，以为所述核的磁矩提供预定取向；c)将所述靶暴露于第二磁场，以为所述靶的自由电子的磁矩提供预定取向；d)或使用电子供体超顺磁材料，使得这些材料的自由层的电子在由该超顺磁材料的产生的磁矩的取向所产生的优选方向上取向；e)例如，在使用超顺磁材料的情况下，不使质子束和/或靶暴露于外部磁场。可以需要一种加热设备和/或用于生成磁场的设备，以激活所述材料的超顺磁性质。 | ||
| 搜索关键词： | 超顺磁材料 磁矩 磁场 暴露 预定取向 自由电子 取向 电场 电子供体 加热设备 时间梯度 外部磁场 优选方向 超顺磁 质子束 自由层 质子 氘核 氚核 捕获 激活 | ||
【主权项】：
一种用于产生和/或捕获中子的方法，包括以下步骤：a)使选自质子、氘核和/或氚核的核经受电场以提取所述核，并将适时地提取的核朝着包含自由电子的靶(20)导向，b)使所述核经受第一磁场的空间和/或时间梯度，以便为所述核的磁矩提供预定取向，以及c)使所述靶经受第二磁场，从而为所述靶的自由电子的磁矩提供预定取向。
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