[发明专利]用于产生中子的设备和方法在审
| 申请号： | 201680057524.1 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN108140431A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 阿拉舍·摩法卡米 | 申请（专利权）人： | 诺伊斯卡公司 |
| 主分类号： | G21B1/19 | 分类号： | G21B1/19;H05H3/06;H05H6/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 法国枫*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超顺磁材料 磁矩 磁场 暴露 预定取向 自由电子 取向 电场 电子供体 加热设备 时间梯度 外部磁场 优选方向 超顺磁 质子束 自由层 质子 氘核 氚核 捕获 激活 | ||
1.一种用于产生和/或捕获中子的方法，包括以下步骤：
a)使选自质子、氘核和/或氚核的核经受电场以提取所述核，并将适时地提取的核朝着包含自由电子的靶(20)导向，
b)使所述核经受第一磁场的空间和/或时间梯度，以便为所述核的磁矩提供预定取向，以及
c)使所述靶经受第二磁场，从而为所述靶的自由电子的磁矩提供预定取向。
2.根据前一项权利要求所述的方法，其中，所述核的磁矩和所述自由电子的磁矩在同一方向上对齐。
3.根据前一项权利要求所述的方法，其中，所述核的磁矩以及所述自由电子的磁矩与所述核朝向所述靶的移位的方向平行，以相同方向或相反方向平行。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过施加射频或放电产生氢和/或氘和/或氚的等离子体来获得所述核。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，使所述核经受射频，从而为所述核的磁矩提供预定取向。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述靶包含铁磁材料和/或超顺磁材料，且所述靶经受磁场，从而为所述靶的自由电子的磁矩提供预定取向。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，使所述靶经受射频，从而为所述靶的自由电子的磁矩提供预定取向。
8.根据紧接的前述三项权利要求中任一项所述的方法，其中，使用射频发生器(8)以10kHz和50GHz之间的频率施加射频。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所施加的电场通过一个或多个电极、特别是一对阳极/接地电极(12，13)获得，所述一对阳极/接地电极由电极支承件(24)承载。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，施加的所述第一磁场在容纳所述核的壳体(2)的体积上具有0.001特斯拉/米至1000特斯拉/米之间的空间梯度。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述靶的自由电子经受所述第二磁场的空间和/或时间梯度。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述靶(20)是金属。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述靶(20)加热至100℃与4000℃之间、更好地在200℃与1700℃之间的温度。
14.一种用于产生和/或捕获中子的设备，包括：
a)壳体(2)，在所述壳体中，能够放置选自质子、氘核和/或氚核的核，
b)用于施加第一磁场的空间和/或时间梯度以为存在于所述壳体中的所述核的磁矩提供预定取向的部件，
c)用于施加电场以提取所述核并将适时地提取的核朝向电子导向的部件，以及
d)用于向所述电子施加第二磁场以为所述电子的磁矩提供预定取向的部件。
15.根据前一项权利要求所述的设备，其中，所述核的磁矩和所述自由电子的磁矩在同一方向上对齐。
16.根据前一项权利要求所述的设备，其中，所述核的磁矩以及所述自由电子的磁矩与所述壳体中的所述核的移位的方向平行，以相同方向或相反方向平行。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的设备，包括围绕所述壳体的射频发生器，使得能够在所述壳体中产生氢或氘和/或氚的等离子体。
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