[发明专利]多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器在审
| 申请号： | 201680056749.5 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN108141181A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 | 申请（专利权）人： | 电路种子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器，实现利用在亚阈值操作中引发的指数属性的基于充电的方法。新颖电流场效应晶体管的多个互补对串联连接以形成多级放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管放大器 互补电流 前馈补偿 多级式 多级放大器 效应晶体管 阈值操作 电流场 充电 | ||
【主权项】：
一种电压放大器，包括：至少三个电流场效应晶体管互补对，每对包括p型电流场效应晶体管(PiFET)和n型电流场效应晶体管(NiFET)，PiFET和NiFET中的每一个具有源极端子、漏极端子、栅极端子以及PiFET和NiFET中的所述每一者的所述对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道，以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起贯穿所述源极和漏极沟道的所述扩散电荷密度的改变，并且所述栅极端子电容式耦合到所述源极和漏极沟道；其中，对于至少三个互补对中的每一对，所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成输入，NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出，并且其中所述至少三个互补对通过将所述至少三个互补对的前一对的所述输出连接到后一对的所述输入而串联连接。
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