[发明专利]功率门控器件及方法在审

专利信息
申请号: 201680051783.3 申请日: 2016-08-12
公开(公告)号: CN108028652A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: J·P·金;S·金;T·金 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 唐杰敏;陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 器件包括第一电源轨和第二电源轨。该第二电源轨的第二电压是从该第一电源轨的第一电压导出的。该器件包括包含连接在该第一电源轨与该第二电源轨之间的开关器件的功率门控电路。该功率门控电路进一步包括在该第一电源轨与该第二电源轨之间与该开关器件并联地连接的钳位二极管。该器件进一步包括包含第一反相器和第二反相器的逻辑电路。该第一反相器包括第一晶体管,并且该第二反相器包括第一晶体管。该第一反相器的第一晶体管的源极/漏极端直接耦合至该第一电源轨,并且该第二反相器的第一晶体管的源极/漏极端直接耦合至该第二电源轨。
搜索关键词: 功率 门控 器件 方法
【主权项】:
1.一种器件,包括:第一电源轨;第二电源轨,其中所述第二电源轨的第二电压是从所述第一电源轨的第一电压导出的;包括连接在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的开关器件的功率门控电路,所述功率门控电路进一步包括在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间与所述开关器件并联连接的钳位二极管;以及包括第一反相器和第二反相器的逻辑电路,所述第一反相器包括所述第一反相器的第一晶体管并且所述第二反相器包括所述第二反相器的第一晶体管,其中所述第一反相器的所述第一晶体管的源极/漏极端直接耦合至所述第一电源轨,并且其中所述第二反相器的所述第一晶体管的源极/漏极端直接耦合至所述第二电源轨。
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