[发明专利]使用多射束工具的反向散射电子(BSE)成像有效
| 申请号： | 201680051709.1 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108028209B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | M·麦科德;R·西蒙斯;D·马斯纳盖蒂;R·克尼彭迈耶 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示多射束扫描电子显微镜检验系统。多射束扫描电子显微镜检验系统可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者。所述多射束扫描电子显微镜检验系统还可包含检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多射束 工具 反向 散射 电子 bse 成像 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：电子源；小射束控制机构，其经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束，所述小射束控制机构进一步经配置以在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者；及检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680051709.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于热点内插的热传感器放置
- 下一篇：制造安全票证的方法及安全装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
