[发明专利]没有伪栅极的图案化方法有效
| 申请号： | 201680051368.8 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108028268B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·J·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/417;H01L21/033;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中的技术提供了用于鳍片和纳米线的精确切割，而不需要伪栅极对来补偿上覆未对准。本文的技术包括使用蚀刻掩模来去除栅极结构的指定部分以限定具有鳍片结构、纳米线等的沟槽或敞开空间。未被覆盖的鳍片结构被蚀刻掉或以其他方式从沟槽区段去除。限定沟槽的蚀刻掩模和材料提供用于去除未被覆盖的鳍片部分的组合蚀刻掩模。随后，用电介质材料填充沟槽段。在不需要伪栅极对的情况下，给定的基片可以显著地装配每单位面积更多的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 栅极 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于图案化基片的方法，所述方法包括：在基片的工作表面上形成鳍片结构的阵列；在所述基片的工作表面上形成栅极结构的阵列，所述栅极结构的阵列具有与所述鳍片结构的阵列的一部分鳍片结构交叉且覆盖所述鳍片结构的阵列的所述部分鳍片结构的栅极结构，所述栅极结构的阵列包括邻接所述栅极结构的侧壁且覆盖所述鳍片结构的剩余部分的第一电介质材料；在所述基片上形成未覆盖所述栅极结构的部分的第一蚀刻掩模；去除所述栅极结构的未被所述第一蚀刻掩模覆盖的部分，导致形成由所述第一电介质材料限定的沟槽段，其中所述鳍片结构的部分在所述沟槽段内未被覆盖；从所述沟槽段去除未被覆盖的鳍片结构；以及用第二电介质材料填充所述沟槽段。
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