[发明专利]3D NAND存储器的自适应操作有效
| 申请号： | 201680050599.7 | 申请日： | 2016-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107924704B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | N.N.杨;J.菲茨帕特里克;J.袁 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/02;G11C29/04;G11C29/12;G11C16/04 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一种包括可单独选择的NAND串的集合的非易失性存储器块中，位线电流感测单元配置为感测块的可单独选择的NAND串的集合的位线电流。位线电压调节单元配置为将第一位线电压和第二位线电压分别施加到具有大于和小于最小电流的位线电流的可单独选择的NAND串的集合，该第二位线电压大于该第一位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | dnand 存储器 自适应 操作 | ||
【主权项】：
1.一种三维非易失性存储器系统，包括：/n含有多个可单独选择的NAND串的集合的块；/n位线电流感测单元，其配置为感测所述块的可单独选择的NAND串的集合的位线电流，并将所述位线电流与最小电流进行比较；以及/n与所述位线电流感测单元通信的位线电压调节单元，所述位线电压调节单元配置为将第一位线电压施加到具有大于所述最小电流的位线电流的可单独选择的NAND串的集合，并且配置为将第二位线电压施加到具有小于所述最小电流的位线电流的可单独选择的NAND串的集合，所述第二位线电压大于所述第一位线电压。/n
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