[发明专利]操作铁电存储器单元的方法及相关的铁电存储器单元有效
| 申请号： | 201680050595.9 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107924696B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | S·C·尼科勒斯;A·A·恰范;M·N·洛克莱 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/11507;H01L49/02 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示操作铁电存储器单元的方法。所述方法包括：将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括电容器的铁电存储器单元，所述电容器包含上电极、下电极、所述上电极与所述下电极之间的铁电材料，及所述铁电材料与所述上电极及所述下电极中的一者之间的界面材料。所述方法进一步包括：将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，其中所述负偏置电压的绝对值不同于所述正偏置电压的绝对值。本发明还描述铁电存储器单元。 | ||
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【主权项】：
1.一种操作非对称铁电存储器单元的方法，所述方法包括：/n将正偏置电压或负偏置电压中的一者施加到包括非对称铁电电容器的所述非对称铁电存储器单元，所述非对称铁电电容器包括：/n第一电极，其包括氮化钛铝；/n第二电极，其包括氮化钛、氮化钛铝或氮化钽，其中所述第二电极具有不同于所述第一电极的厚度；/n铁电材料，其包括氧化铪、氧化锆或其组合，所述铁电材料介于所述第一电极与所述第二电极之间；及/n电介质界面材料，其包括介于所述第一电极与所述第二电极之间的氧化钛或氮化铝；及/n将所述正偏置电压或所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，所述负偏置电压具有不同于所述正偏置电压的量值。/n
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