[发明专利]测量光刻工艺参数的方法和设备、衬底以及该方法中使用的图案化装置有效
| 申请号： | 201680049910.6 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107924140B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | M·范德沙;张幼平;H·J·H·斯米尔德;A·蔡亚马斯;A·J·范李斯特;A·弗玛;T·希尤维斯;H·A·J·克拉默;P·C·欣南 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 光刻 工艺 参数 方法 设备 衬底 以及 使用 图案 化装 | ||
【主权项】：
一种测量光刻工艺的参数的方法，包括：利用辐射照射目标结构，其中所述目标结构通过所述光刻工艺来形成，获取所述目标结构的角分辨散射光谱；以及使用在所述目标结构的所述散射光谱中发现的不对称来得出所述参数的测量。
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