[发明专利]用于等离子体蚀刻过程的单晶片实时蚀刻速率及均匀度预测器有效
| 申请号： | 201680047628.4 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107924803B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 贾斯丁·希罗奇·萨托;B·D·亨尼斯;Y·C·基梅尔 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种用于认证等离子体蚀刻过程的蚀刻速率的实时方法。一种用于测试半导体等离子体蚀刻腔室的方法可包含：将膜沉积在晶片的衬底上，所述晶片包含中心区域及边缘区域；以使所述晶片的所述中心区域与所述边缘区域隔离的图案将光致抗蚀剂沉积在所述膜的顶部上；及对所述晶片执行包含至少三个过程步骤的蚀刻过程。所述三个过程步骤可包含：在没有光致抗蚀剂覆盖的任何区中蚀刻所述膜，直到实现第一清晰终点信号为止；执行原位灰化以移除任何光致抗蚀剂；及在通过所述光致抗蚀剂的所述移除所暴露的任何区中蚀刻所述膜，直到实现第二清晰终点为止。所述方法可进一步包含确定两个终点是否都在相应先前设置容限内实现，及如果两个终点都在所述先前设置容限内实现，那么将所述等离子体蚀刻腔室认证为经验证。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 蚀刻 过程 晶片 实时 速率 均匀 预测 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试半导体等离子体蚀刻腔室的方法，所述方法包括：/n将膜沉积在晶片的衬底上，所述晶片包含中心区域及边缘区域；/n以图案的形式将光致抗蚀剂沉积在所述膜的顶部上，所述图案使所述晶片的所述中心区域与所述边缘区域隔离；/n对所述晶片执行包含至少三个过程步骤的蚀刻过程，所述至少三个过程步骤包含：/n在没有光致抗蚀剂覆盖的任何区中蚀刻所述膜，直到实现第一清晰终点信号为止；/n执行原位灰化以移除任何光致抗蚀剂；及/n在通过所述光致抗蚀剂的所述移除所暴露的任何区中蚀刻所述膜，直到实现第二清晰终点为止；/n确定两个终点是否都在相应先前设置容限内实现；及/n如果两个终点都在所述先前设置容限内实现，那么将所述等离子体蚀刻腔室认证为经验证。/n
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