[发明专利]用于存储器功率降低的方法和装置有效
| 申请号： | 201680023787.0 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107533351B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | A·塔哈;D·T·丘 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/3225 | 分类号： | G06F1/3225 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于存储器功率降低的方法和装置。该装置基于DRAM的与刷新DRAM中的数据以及处理器对DRAM中存储的数据的使用相关联的功耗，基于NVRAM的与处理器对NVRAM中存储的数据的使用相关联的功耗，以及基于与在第一功率状态和第二功率状态中与数据相关联地汲取的电流相关联的占空比，来确定要在处理器的空闲状态期间将数据存储到DRAM还是NVRAM中。NVRAM是除了闪速存储器之外的类型的非易失性随机存取存储器。基于要将数据存储在DRAM还是NVRAM中的确定，处理器将数据存储到DRAM或NVRAM之一中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 功率 降低 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种由装置执行的存储器功率降低的方法，包括：基于动态随机存取存储器(DRAM)的与刷新所述DRAM中的数据以及处理器对所述DRAM中存储的数据的使用相关联的功耗，基于非易失性随机存取存储器(NVRAM)的与所述处理器对所述NVRAM中存储的数据的使用相关联的功耗，以及基于与在第一功率状态和第二功率状态中与所述数据相关联地汲取的电流相关联的占空比，来确定要将数据存储到所述DRAM还是所述NVRAM中，所述NVRAM是除了闪速存储器之外的类型的随机存取存储器；以及基于要将数据存储到所述DRAM还是所述NVRAM中的确定来将所述数据存储到所述DRAM或所述NVRAM之一中。
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