[发明专利]太阳能电池单元和太阳能电池单元的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680018486.9 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN107408588B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 重松正人;角村泰史 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0747
代理公司: 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 太阳能电池单元(70)包括:第1导电型的第1半导体层(12),其被设置在主面上的第1区域(W1);绝缘层(16),其被设置在与第2区域(W2)相邻的绝缘区域(W3)的第1半导体层上;第2导电型的第2半导体层(13),其被全面地设置在第2区域(W2)的主面上及绝缘区域(W3)的绝缘层上;透明导电层(17),其被设置在第1半导体层(12)及第2半导体层(13)之上;第1金属电极(21),其被设置在第1区域(W1);以及第2金属电极(26),其被设置在第2区域(W2)。第2金属电极(26)被形成为,具有随着从主面离开而接近第1金属电极(21)地突出的第2伸出部(28),且与第1金属电极(21)之间的间隙位于绝缘区域(W3)。透明导电层(17)被设置为避开与间隙对应的分离区域(W5)。
搜索关键词: 太阳能电池 单元 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池单元的制造方法,包括如下工序:/n在具有彼此相邻的第1区域和第2区域的半导体基板的主面上的上述第1区域形成第1导电型的第1半导体层;/n在上述第1区域的一部分、即与上述第2区域相邻的绝缘区域的上述第1半导体层上形成绝缘层;/n在上述第2区域的上述主面上及上述绝缘区域的上述绝缘层上全面形成第2导电型的第2半导体层;/n在上述第1半导体层及上述第2半导体层之上形成透明导电层;/n在上述透明导电层之上形成晶种层;/n在上述绝缘区域的上述晶种层之上设置抗镀层并使电镀层在上述晶种层之上成长;以及/n除去上述抗镀层,并除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分;/n使上述电镀层成长的工序包括在上述第1区域上形成第1电镀层的工序、和在上述第2区域上形成第2电镀层的工序;/n形成上述第2电镀层的工序包含如下工序:形成上述第2电镀层,使得上述第2电镀层随着远离上述主面而向上述第1电镀层靠近地突出,并且,在与上述第1电镀层之间设置间隙,/n除去上述透明导电层及上述晶种层的一部分的工序包含如下工序:将上述间隙作为掩模来对上述透明导电层的一部分进行激光照射或干蚀刻。/n
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