[发明专利]具有环栅式阴极的纳米真空间隙器件有效
| 申请号： | 201680011807.2 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107258008B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄碧琴;克里斯托弗S·罗珀;塔希尔·侯赛因 | 申请（专利权）人： | 美国休斯研究所 |
| 主分类号： | H01J19/24 | 分类号： | H01J19/24;H01J21/10;H01J9/02 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭愿洁;彭家恩 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体功率处理器件，包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。一种半导体功率处理器件阵列，每个器件包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。多个半导体功率处理器件可以按行和列排列，并且可以互相连接以满足不同应用的需求。该半导体功率处理器件阵列可以在单一块衬底上制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 环栅式 阴极 纳米 真空 间隙 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率处理器件，其特征在于，包括：阴极柱；围绕所述阴极柱用于形成环栅式阴极的栅极；与所述阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极；形成于所述阴极柱的侧面并围绕所述阴极柱的电介质层；形成于所述阴极柱的侧面并围绕所述电介质层的栅极层；其中，所述阳极形成在所述阴极柱的顶部的上方，并通过所述电介质层与所述阴极柱分隔开以形成纳米真空间隙。
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