[发明专利]公共N阱状态保持触发器有效
| 申请号： | 201680008458.9 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107210735B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | A·阿加瓦尔;S·K·须;R·K·克里西那莫西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K3/3562 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高见 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括用于状态保持电子器件的装置、方法和系统。在实施例中，一种电子器件可以包括状态保持触发器，所述状态保持触发器具有与公共N阱耦合的多个P型金属氧化物半导体(PMOS)器件，其中所述多个PMOS器件中的一个或多个由常通电源来供电，并且所述多个PMOS器件中的一个或多个由功率门控电源来供电。可以描述并要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 公共 状态 保持 触发器 | ||
【主权项】：
一种具有数据保持能力的电子器件，所述电子器件包括：状态保持触发器，所述状态保持触发器包括与公共N阱耦合的P型金属氧化物半导体(PMOS)器件，其中，与所述公共N阱耦合的所述PMOS器件中的一个或多个由常通电源来供电，并且与所述公共N阱耦合的所述PMOS器件中的一个或多个由功率门控电源来供电。
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