[发明专利]硅晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680006293.1 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN107210223B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 铃木克佳;竹野博;江原幸治 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B29/06;C30B33/12;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，该制造方法包含：步骤A，透过自上方加热该被处理硅晶圆的第一热源，而仅对该被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热该被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对该被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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