[发明专利]包括波导材料的集成光子器件在审
| 申请号： | 201680004837.0 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN107408589A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·酷宝赫;托马斯·亚当;杰拉尔德·L·莱克 | 申请（专利权）人： | 纽约州立大学研究基金会 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/028;G02B6/12;G02B6/13;G02B6/132;G02B6/134;G02B6/136;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 美国纽约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光子器件结构在一个方面可包括通过将适于传播光能的波导材料图案化形成的一个或多个波导。这种波导材料可包括硅(单晶硅、多晶硅、或非晶线硅)和氮化硅的一种或多种。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 波导 材料 集成 光子 器件 | ||
【主权项】：
一种制造光电检测器结构的方法，包括：在硅上形成电介质材料；在延伸到所述硅的所述电介质材料中蚀刻沟槽；在所述沟槽内外延生长锗；将通过所述外延生长而形成的锗退火；重复所述外延生长和所述退火，直到所述锗过度填充所述沟槽；将所述锗的过度填充部分平坦化；以及使用掺杂和金属化来产生顶部接触和底部接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纽约州立大学研究基金会，未经纽约州立大学研究基金会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680004837.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
