[实用新型]一种新型倒装LED光源

摘要

本实用新型涉及领域半导体发光器件领域，尤其涉及了一种新型倒装LED光源，包括P‑N电极外延片和基板，P‑N电极外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上形成的N‑GaN层，N‑GaN层上形成的发光层和发光层上形成的P‑GaN层，所述P‑GaN层上和N‑GaN层上分别引出P电极和N电极，所述基板上围绕所述P‑N电极外延片部位设有反射槽，所述反射槽内均匀涂覆反射层。本实用新型提供的一种新型倒装LED光源，通过设置反射槽，将P‑N电极外延片侧面散射出来的光反射至蓝宝石衬底发出，提高了出光效率，并且不会影响LED芯片的散热效率。

主权项

一种新型倒装LED光源，包括P‑N电极外延片和基板（1），P‑N电极外延片包括蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）上形成的N‑GaN层（6），N‑GaN层（6）上形成的发光层（5）和发光层（5）上形成的P‑GaN层（4），所述P‑GaN层（4）上和N‑GaN层（6）上分别引出P电极（3）和N电极（2），其特征在于，所述基板（1）上围绕所述P‑N电极外延片部位设有反射槽（9），所述反射槽（9）内均匀涂覆反射层（8）。