[实用新型]GaN氮化镓功率倍增模块有效
| 申请号： | 201621393568.5 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN206272573U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王亚锋;曹东生;许书君 | 申请（专利权）人： | 深圳市万和科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F1/32;H03F3/08;H03F3/20;H03F3/24;H04N7/22 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司44101 | 代理人： | 孙皓 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种GaN氮化镓功率倍增模块，采用GaN裸芯片和陶瓷基板结构，包括供电单元(10)、输入端口保护单元(20)、第一阻抗匹配单元(30)、功率放大单元(40)、第二阻抗匹配单元(50)、输出端口保护单元(60)，输入端口保护单元(20)、第一阻抗匹配单元(30)、功率放大单元(40)、第二阻抗匹配单元(50)、输出端口保护单元(60)依次电连接；输入端口保护单元(20)与第一阻抗匹配单元(30)构成输入级，在输入级采用共源电路结构；第二阻抗匹配单元(50)与输出端口保护单元(60)构成输出级，在输出级采用共源共栅电路结构。本实用新型采用GaN材料制作的放大器，其输出的失真度极低，满足了客户的低失真度要求。 | ||
| 搜索关键词： | gan 氮化 功率 倍增 模块 | ||
【主权项】：
一种GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：采用GaN裸芯片和陶瓷基板结构，包括供电单元(10)、输入端口保护单元(20)、第一阻抗匹配单元(30)、功率放大单元(40)、第二阻抗匹配单元(50)、输出端口保护单元(60)，输入端口保护单元(20)与第一阻抗匹配单元(30)电连接，第一阻抗匹配单元(30)与功率放大单元(40)电连接，功率放大单元(40)与第二阻抗匹配单元(50)电连接，第二阻抗匹配单元(50)与输出端口保护单元(60)电连接；输入端口保护单元(20)与第一阻抗匹配单元(30)构成输入级，在输入级采用共源电路结构；第二阻抗匹配单元(50)与输出端口保护单元(60)构成输出级，在输出级采用共源共栅电路结构。
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