[实用新型]一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构有效
| 申请号： | 201621232443.4 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN206250200U | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;白玉明;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/73 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及IGBT器件制造技术领域，尤其是一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，包括与发射极电连接的有源区连接金属、与栅极电连接的栅极信号连接金属、栅极多晶硅和栅极多晶硅连接孔。本实用新型的栅极多晶硅连接孔和栅极信号连接金属在同一位置断开形成第一断口，栅极信号通过中间层的栅极多晶硅连接，由于多晶硅的电阻较高，第一断口处的栅极多晶硅形成栅电阻，这样就相当于串联了一个栅电阻，栅电阻的大小可以通过栅极多晶硅的参杂和第一断口的长度来调节，可调性较高，IGBT在使用时栅电阻可以消除栅极振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电阻 带有 检测 功能 igbt 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，其特征在于：包括：有源区连接金属(4)；栅极信号连接金属(3)，所述栅极信号连接金属(3)环绕在所述有源区连接金属(4)的外围；栅极多晶硅(1)，所述栅极多晶硅(1)位于所述栅极信号连接金属(3)的上表面且环绕在所述有源区连接金属(4)的外围；栅极多晶硅连接孔(2)，所述栅极多晶硅连接孔(2)位于所述栅极多晶硅(1)的上表面且环绕在所述有源区连接金属(4)的外围，所述栅极多晶硅连接孔(2)和栅极信号连接金属(3)在同一位置断开形成第一断口(5)，栅极信号通过中间层的栅极多晶硅(1)连接，第一断口(5)处的栅极多晶硅(1)形成栅电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡同方微电子有限公司，未经无锡同方微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621232443.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
