[实用新型]一种NandFLASH走线拓扑结构有效
| 申请号： | 201621195748.2 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN206312139U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 孙骥;庞艳艳 | 申请（专利权）人： | 上海飞斯信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种Nand FLASH 走线拓扑结构，包括多个Nand Flash芯片，所述多个Nand Flash芯片并排摆放，连接线LineA1、LineA2、LineA3和LineAA4将多个Nand Flash芯片连接到一起。所述连接线LineA1、LineA2、LineA3和LineAA4是等长的。本实用新型走线方式能够减短stub，能够达到速率200M或更高的信号质量要求，且绕线长度短于传统的树型结构。让Layout工程师能够在有限的空间内完成多片Nand Flash的走线工作。通过这种方式能够满足Nand Flash对信号质量的要求解决狭小空间内树型结构绕线不出的情况。增进产品质量减小Layout工程师工作压力和工作量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
一种Nand FLASH 走线拓扑结构，包括多个Nand Flash芯片，其特征在于，所述多个Nand Flash芯片并排摆放，连接线LineA1、LineA2、LineA3和LineAA4将多个Nand Flash芯片连接到一起。
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