[实用新型]一种IGBT半桥电路

摘要

一种IGBT半桥电路，在外壳底板上真空烧结氮化铝DBC基板，在氮化铝DBC基板上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片；氮化铝DBC基板与主电极引线间用真空烧结的连接桥进行电联接，氮化铝DBC基板与IGBT芯片、FWD芯片及辅助电极引线间用超声压焊高纯铝丝进行电联接；壳盖扣设在外壳底板上。其优点是它采用金属全封装外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，其耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想。它体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变，可组合为H桥电路与三相全桥电路。适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变；壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。

主权项

一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。