[实用新型]质谱离子注入系统的质量分析器有效
申请号: | 201621100052.7 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN206059343U | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 王乐 | 申请(专利权)人: | 宝鸡文理学院 |
主分类号: | H01J49/26 | 分类号: | H01J49/26;H01J49/02 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司11421 | 代理人: | 林晓宏 |
地址: | 721006 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种质谱离子注入系统的质量分析器,适于分离离子束中不同电荷‑质量比的离子,在所述质量分析器的内壁包括覆盖于其表面的离子撞击区域和保护区域,所述保护区域包括若干凹槽,所述撞击区域嵌设于所述凹槽内。本实用新型的质谱离子注入系统的质量分析器,具有以下有益效果在所述质量分析器内壁上设置覆盖于其表面的离子撞击区域和保护区域,所述保护区域包括若干凹槽,所述撞击区域嵌设于所述凹槽内,所述保护区域为碳化硅层;所述离子撞击区域为石墨层,由于碳化硅的硬度特别高,并且将所述石墨层固定,在离子束撞击所述碳化硅时不容易出现脱落的现象,有效地避免了晶圆被划伤的危险。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 系统 质量 分析器 | ||
【主权项】:
一种质谱离子注入系统的质量分析器,适于分离离子束中不同电荷‑质量比的离子,其特征在于,在所述质量分析器的内壁包括覆盖于其表面的离子撞击区域和保护区域,所述保护区域包括若干凹槽,所述撞击区域嵌设于所述凹槽内。
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