[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201620943470.6 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN206250203U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: J·R·吉塔特;S·姆候比;F·鲍温斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括限定主表面的半导体衬底。所述器件还包括至少包含具有第一导电类型的第一柱的第一区域,所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸。所述器件还包括具有所述第一导电类型的第二区域。所述第一柱具有比所述第二区域更高的掺杂浓度。所述器件还包括耦接到所述第二区域的肖特基接触。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于包括:限定主表面的半导体衬底;至少包括具有第一导电类型的第一柱的第一区域,所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸,具有所述第一导电类型的第二区域,所述第一柱包括比所述第二区域更高的掺杂浓度;以及耦接到所述第二区域的肖特基接触。
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