[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201620943470.6 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN206250203U | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | J·R·吉塔特;S·姆候比;F·鲍温斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括限定主表面的半导体衬底。所述器件还包括至少包含具有第一导电类型的第一柱的第一区域,所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸。所述器件还包括具有所述第一导电类型的第二区域。所述第一柱具有比所述第二区域更高的掺杂浓度。所述器件还包括耦接到所述第二区域的肖特基接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于包括:限定主表面的半导体衬底;至少包括具有第一导电类型的第一柱的第一区域,所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸,具有所述第一导电类型的第二区域,所述第一柱包括比所述第二区域更高的掺杂浓度;以及耦接到所述第二区域的肖特基接触。
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