[实用新型]一种基于S3R的航天用过压保护电路有效
| 申请号： | 201620938176.6 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN206211525U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马亮;赵长江;李小飞;石海平;雷英俊;井元良 | 申请（专利权）人： | 北京空间飞行器总体设计部 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于S3R的航天用过压保护电路，包括n个功率二极管D1～Dn、N型MOSFET Q1、迟滞比较器及驱动器，其中，n为正整数；功率二极管D1～Dn的阴极均与N型MOSFET Q1的漏极相连，功率二极管D1～Dn的阳级分别与所对应的S3R电路拓扑中，连接到母线上任意两个串联的二极管的中间公共端相连；N型MOSFET Q1的门极与迟滞比较器及驱动器的输出端相连，N型MOSFET Q1的源极接地；迟滞比较器及驱动器的正端接S3R电路拓扑中母线误差调节器，负端接基准电压Vref(n+1)。本实用新型针对目前依靠切入负载不能进行开关调节、导致热耗过高的缺点，在母线过压情况下，自动触发过压保护电路，进行开关调节，保证母线电压符合要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 s3r 航天 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于，包括：n个功率二极管D1～Dn、N型MOSFET Q1、迟滞比较器及驱动器，其中，n为正整数；功率二极管D1～Dn的阴极均与N型MOSFET Q1的漏极相连，功率二极管D1～Dn的阳级分别与所对应的S3R电路拓扑中母线上任意两个串联的二极管的中间连接公共端相连；N型MOSFET Q1的门极与迟滞比较器及驱动器的输出端相连，N型MOSFET Q1的源极接地；迟滞比较器及驱动器的正端接S3R电路拓扑中的母线误差调节器，负端接基准电压Vref(n+1)。
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