[实用新型]一种基于S3R的航天用过压保护电路有效
| 申请号： | 201620938176.6 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN206211525U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马亮;赵长江;李小飞;石海平;雷英俊;井元良 | 申请（专利权）人： | 北京空间飞行器总体设计部 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 s3r 航天 保护 电路 | ||
1.一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于，包括：n个功率二极管D1～Dn、N型MOSFET Q1、迟滞比较器及驱动器，其中，n为正整数；功率二极管D1～Dn的阴极均与N型MOSFET Q1的漏极相连，功率二极管D1～Dn的阳级分别与所对应的S3R电路拓扑中母线上任意两个串联的二极管的中间连接公共端相连；N型MOSFET Q1的门极与迟滞比较器及驱动器的输出端相连，N型MOSFET Q1的源极接地；迟滞比较器及驱动器的正端接S3R电路拓扑中的母线误差调节器，负端接基准电压Vref(n+1)。
2.根据权利要求1所述的一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于：所述n的取值与S3R电路拓扑的个数一致。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于：所述功率二极管D1～Dn分别与一个功率二极管并联。
4.根据权利要求1或2所述的一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于：所述N型MOSFET Q1门极连接另一个N型MOSFET的漏极，另一个N型MOSFET的门极与迟滞比较器及驱动器的输出端相连，另一个N型MOSFET的源极接地。
5.根据权利要求1或2所述的一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于：所述迟滞比较器及驱动器的迟滞宽度与S3R电路拓扑的迟滞电压宽度一致。
6.根据权利要求5所述的一种基于S3R的航天用过压保护电路，其特征在于：所述基准电压Vref(n+1)所对应的开通门限或关断门限在母线误差调节器的输出范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京空间飞行器总体设计部，未经北京空间飞行器总体设计部许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620938176.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
