[实用新型]一种多晶硅电池片栅线结构有效
申请号: | 201620911839.5 | 申请日: | 2016-08-20 |
公开(公告)号: | CN205911316U | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 张军文;杨增辉;贾积凯;庞凤英 | 申请(专利权)人: | 青海聚能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 810007 青海省西宁*** | 国省代码: | 青海;63 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种多晶硅电池片栅线结构,包括纵向排布多条主栅和横向排布的多条细栅,所述主栅和所述细栅交错接合成网状,形成多个接合处,所述细栅的宽度沿长度方向朝所述接合处渐变扩大。本实用新型既能有效消除之前网版印刷后细栅与主栅接触点的虚印现象,提高了短路电流容量,又改善了产品的外观,还提高了电池片的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 电池 片栅线 结构 | ||
【主权项】:
一种多晶硅电池片栅线结构,其特征在于:所述多晶硅电池片栅线结构包括纵向排布的多条主栅(10)和横向排布的多条细栅(20),所述主栅(10)和所述细栅(20)交错接合成网状,形成多个接合处(30),所述细栅(20)的宽度沿长度方向朝所述接合处(30)渐变扩大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青海聚能电力有限公司,未经青海聚能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620911839.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的