[实用新型]一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器

摘要

本实用新型属于抗辐射电路技术领域，公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，包括至少两个相同的子模块；第i个子模块的端口为Ai_1、Ai_2、Bi_1、Bi_2、WLi、BLi与BLBi；子模块中包括6个MOSFET，其中PMi_1漏极与NMi_1漏极连接部分构成存储节点i_1，PMi_2漏极与NMi_2漏极连接部分构成存储节点i_2。i_1与i_2存储数据的逻辑值相反；子模块之间的连接关系为Ai_1与Bi‑1_2连接，Ai‑1_2与Bi_1连接，Ai_2与Bi+1_1连接，Ai+1_1与Bi_2连接，BLi‑1、BLi、BLi+1与BL连接，BLBi‑1、BLBi、BLBi+1与BLB连接，WLi‑1、WLi、WLi+1与WL连接，A1_1与Bn_2连接，An_2与B1_2连接。本实用新型提供了一种抗辐射能力强，抗SEU能力稳定，读写速度快得存储器。

主权项

一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，其特征在于，包括：至少两个相同的子模块；所述子模块包括：P型MOSFET管PMi_1以及PMi_2，N型MOSFET管NMi_1、NMi_2、NMi_3以及NMi_4；所述PMi_1漏极与所述NMi_1漏极相连，构成存储节点端口Bi_1，所述PMi_2漏极与NMi_2漏极相连，构成存储节点端口Bi_2；存储节点端口Bi_1与Bi_2存储数据的逻辑值相反；所述PMi_1的源极和所述PMi_2的源极连接电源电压VCC；所述PMi_1的栅极构成子模块端口Ai_1，所述PMi_2的栅极构成子模块端口Ai_2；所述NMi_1的源极和所述NMi_2的源极接地；所述NMi_1的栅极连接存储节点端口Bi_2，所述NMi_2的栅极连接存储节点端口Bi_1；所述NMi_3的栅极和所述NMi_4的栅极相连，构成端口WLi；所述NMi_3的源极连接存储节点端口Bi_1，所述NMi_4的源极连接存储节点端口Bi_2；所述NMi_3的漏极构成端口BLi，所述的NMi_4漏极构成端口BLBi；在子模块的数量为n的情况下，第i个子模块与第i‑1个子模块的连接关系为：Ai_1与Bi‑1_2连接，Bi_1与Ai‑1_2连接，BLi‑1以及BLi与BL连接，BLBi‑1以及BLBi与BLB连接，WLi‑1以及WLi与WL连接；第一子模块的端口A1_1与第n子模块的端口Bn_2连接，第一子模块的端口B1_1与第n子模块的端口An_2连接；其中，i和n均为大于等于2的整数。