[实用新型]一种复合减反膜晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201620736083.5 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN205920976U | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/20 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙)44283 | 代理人： | 张伶俐 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种复合减反膜晶体硅太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，该太阳能电池包括P型硅，所述P型硅的正面设有N+层、氢化非晶硅层，所述氢化非晶硅层设置在N+层的上表面，所述氢化非晶硅层的表面沉积有多孔氮化硅层，所述多孔氮化硅层上开有若干孔洞，所述氢化非晶硅层的表面设有Ag正电极，所述Ag正电极穿过多孔氮化硅层与氢化非晶硅层连接；所述P型硅的背面设有Al背电场、Ag背电极，所述Al背电场设置在P型硅下表面，所述Ag背电极穿过Al背电场与P型硅连接。具有能大大提高太阳能电池的太阳光子利用率，使载流子复合速率降低，从而大大提升电池的转换效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 减反膜 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种复合减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括P型硅(3)，所述P型硅(3)的正面设有N+层(4)、氢化非晶硅层(5)，所述氢化非晶硅层(5)设置在N+层(4)的上表面，所述氢化非晶硅层(5)的表面沉积有多孔氮化硅层(6)，所述多孔氮化硅层(6)上开有若干孔洞(61)，所述氢化非晶硅层(5)的表面设有Ag正电极(7)，所述Ag正电极(7)穿过多孔氮化硅层(6)与氢化非晶硅层(5)连接；所述P型硅(3)的背面设有Al背电场(2)、Ag背电极(1)，所述Al背电场(2)设置在P型硅(3)下表面，所述Ag背电极(1)穿过Al背电场(2)与P型硅(3)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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