[实用新型]一种RFID标签芯片中的射频调制电路

摘要

本实用新型涉及电路领域，特别地涉及一种RFID标签芯片中的射频调制电路。本实用新型公开了一种RFID标签芯片中的射频调制电路，包括P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、反相电路、电容C1和单向开关，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的漏极相连，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的源极分别接天线的两端，所述N型MOS管MN1的源极同时接地，所述P型MOS管MP1的衬底与漏极连接，调制信号接所述N型MOS管MN1的栅极，同时经反相电路接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端接P型MOS管MP1的栅极，同时连接单向开关接地，所述单向开关的电流导通方向指向地。本实用新型解决了射频信号位于负半周期时，射频信号被非正常箝位，从而影响工作距离的问题，且电路结构简单，成本低。

主权项

一种RFID标签芯片中的射频调制电路，其特征在于：包括P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、反相电路、电容C1和单向开关，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的漏极相连，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的源极分别接天线的两端，所述N型MOS管MN1的源极同时接地，所述P型MOS管MP1的衬底与漏极连接，调制信号接所述N型MOS管MN1的栅极，同时经反相电路接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端接P型MOS管MP1的栅极，同时连接单向开关接地，所述单向开关的电流导通方向指向地。