[实用新型]一种芯片上电电路有效
| 申请号： | 201620631569.2 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN205880808U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | G06F1/26 | 分类号： | G06F1/26;G06F1/30 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315111 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片上电电路，属于芯片供电电源技术领域。本实用新型包括第一电阻至第三电阻，第一电容至第四电容，第一二极管，第一MOS管，第二MOS管，电压输入端，第一稳压芯片。本实用新型具有安全性好、供电电压稳定性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 电路 | ||
【主权项】：
一种芯片上电电路，其特征在于，所述芯片上电电路包括第一电阻至第三电阻，第一电容至第四电容，第一二极管，第一MOS管，第二MOS管，电压输入端，第一稳压芯片，所述第一稳压芯片包括第一接口至第四接口，所述电压输入端经第三电阻后来拿第一稳压芯片的第四接口，所述电压输入端还连第一MOS管的漏极，所述第一MOS管的栅极连第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的源极还连第一稳压芯片的第四接口，所述第一MOS管的源极还经第二电容后接地，所述第一MOS管的漏极经第一电阻，第一电容后接地，所述第一二极管并联于第一MOS管的漏极与栅极，其中第一二极管的阴极与第一MOS管的漏极；所述电压输入端经第二电阻后连第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的栅极经第一电容后接地，所述第二二极管并联与第二MOS管的漏极以及源极，所述第二二极管的阴极连第二MOS管的漏极，所述第一稳压芯片的第一接口接地，所述第一稳压芯片的第三接口接3.3V正极电压输入，所述第一稳压芯片U1的第三接还经由第三电容以及第四电容并联构成的并联电路后接地，所述第一稳压芯片的第二接口连第一稳压芯片的第三接口。
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