[实用新型]一种基于缺陷地的传输线补偿结构有效
| 申请号： | 201620610765.1 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN205681691U | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 江桓;彭奇;田永猛 | 申请（专利权）人： | 索尔思光电（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/11 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高新区西*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于缺陷地的传输线补偿结构，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。本实用新型采用缺陷地方式来进行阻抗补偿，将第二介质层增加预定厚度，来改善由于突变引起的阻抗减小，通过这种方式增加了传输线的有效参考厚度、有效介电常数，从而减小了插入损耗、改善了噪声抖动、增大了带宽、减小了噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 缺陷 传输线 补偿 结构 | ||
【主权项】：
一种基于缺陷地的传输线补偿结构，其特征在于，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。
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