[实用新型]栅氧化层完整性测试结构有效
| 申请号： | 201620541909.2 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205720547U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 袁芳;张冠;董燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种栅氧化层完整性测试结构，包括：所述栅氧化层完整性测试结构包括衬底、栅极结构、与所述衬底电连接的第一焊盘、与所述栅极结构电连接的第二焊盘，所述栅极结构包括位于所述衬底上的栅氧化层和位于所述栅氧化层上的栅电极，其中，所述栅氧化层完整性测试结构还包括一金属熔丝，所述金属熔丝设置于所述栅极结构与第二焊盘之间。由于本实用新型提供的栅氧化层完整性测试结构中包含有一金属熔丝，所述金属熔丝在栅氧化层完整性测试中，可于电压击穿时即时断开，保护栅氧化层中的缺陷不被电流烧伤，保留缺陷的原有形貌，有利于后续对缺陷的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 完整性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层完整性测试结构，所述栅氧化层完整性测试结构包括衬底、栅极结构、与所述衬底电连接的第一焊盘、与所述栅极结构电连接的第二焊盘，所述栅极结构包括位于所述衬底上的栅氧化层和位于所述栅氧化层上的栅电极，其特征在于：所述栅氧化层完整性测试结构还包括金属熔丝，所述金属熔丝设置于所述栅极结构与第二焊盘之间。
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