[实用新型]一种多混合结构的软快恢复二极管有效
| 申请号： | 201620485516.4 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN205680688U | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型的主要目的为提供一种多混合结构的软快恢复二极管，在N‑/N/N+型硅片上间隔地排列制造出高浓度的P+/N‑结、肖特基结、低浓度的P‑/N‑结。在原MPS结构上，增加了P‑/N‑结构。设定的P‑区浓度在5E12～5E13/cm2,P+区的浓度大于1E14/cm2;P+和P‑区边间距5～35um。减少了工步，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合结构 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种多混合结构的软快恢复二极管，其结构包括：在N‑/N/N+型硅片上间隔地排列制造出高浓度的P+/N‑结、肖特基结、低浓度的P‑/N‑结。
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