[实用新型]具有增强拉曼信号的纳米银衬底有效
申请号: | 201620423824.4 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN205668940U | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 杜亚冰;穆静静;王细薇;李华;华沛;任一新;潘慧 | 申请(专利权)人: | 河南城建学院 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 467000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型提供一种具有增强拉曼信号的纳米银衬底,解决传统的衬底均一性和拉曼增强活性较低,以及制备成本较高,工艺复杂的问题,包括铝制的基底,所述的基底的表面上设有氧化层,所述氧化层上设有多孔结构,多孔结构中设有序排列的银纳米线阵列,银纳米线阵列通过电化学方法沉积在多孔结构中,本实用新型的氧化铝膜银衬底有更好的均一性和稳定性,氧化层的粗糙度更加均匀,长径比可控的多孔结构使得拉曼信号更为稳定,实验结果更为可靠;而且本实用新型的制备方法简单,耗时少、成本低,可控性强,重复率高,SERS增强因子较高。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 信号 纳米 衬底 | ||
【主权项】:
具有增强拉曼信号的纳米银衬底,包括铝制的基底(1),其特征在于,所述的基底(1)的表面上设有氧化层(4),所述氧化层(4)上设有多孔结构(2),多孔结构(2)中设有序排列的银纳米线阵列(3),银纳米线阵列(3)通过电化学方法沉积在多孔结构(2)中。
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