[实用新型]一种复合型结终端结构有效
| 申请号： | 201620322189.0 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN205645821U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 焦丹钧;朱瑞;陈晓伦;沈晓东;许柏松;欧应辉;叶新民 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;沈国安 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种复合型结终端结构，包括场限环P+掺杂区（1）、有源区主结P+掺杂区（2）、截止环N+掺杂区（3）以及复合型结终端P‑掺杂区（4），上述掺杂区均在硅材料衬底（6）的外延层或者高阻层N‑区（5）内，场限环P+掺杂区（1）位于有源区主结P+掺杂区（2）外侧，两区保持一定的距离，复合型结终端P‑掺杂区（4）位于场限环P+掺杂区（1）的外围，且两者紧密相连，复合型结终端P‑掺杂区（4）的结深小于有源区主结P+掺杂区（2）的结深，截止环N+掺杂区（3）位于芯片最外围，与复合型结终端P‑掺杂区（4）保持一定的距离。本实用新型保证场限环P+掺杂区起到一定的分压作用，减缓场限环电场强度，以提高反向击穿电压典型值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合型 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种复合型结终端结构，其特征在于它包括场限环P+掺杂区（1）、有源区主结P+掺杂区（2）、截止环N+掺杂区（3）以及复合型结终端P‑掺杂区（4），上述掺杂区均在硅材料衬底（6）的外延层或者高阻层N‑区（5）内，所述场限环P+掺杂区（1）位于有源区主结P+掺杂区（2）外侧，两区保持一定的距离，所述复合型结终端P‑掺杂区（4）位于场限环P+掺杂区（1）的外围，且两者紧密相连，复合型结终端P‑掺杂区（4）的结深小于有源区主结P+掺杂区（2）的结深，所述截止环N+掺杂区（3）位于芯片最外围，与复合型结终端P‑掺杂区（4）保持一定的距离。
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