[实用新型]紫外GaN基LED外延结构

摘要

本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层，低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层包括层叠设置的低温Al_xIn_yGa_1‑x‑yN量子阱层和低温Al_zGa_1‑zN量子垒层。本实用新型通过设计紫外GaN基LED外延结构中的量子阱发光层结构，降低了材料中自发和压电极化效应的影响，能够提升紫外LED器件的内部量子效率。

主权项

一种紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：衬底；位于所述衬底上的低温缓冲层；位于所述低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于所述高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于所述高温n‑GaN层上的低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层包括层叠设置的低温Al_xIn_yGa_1‑x‑yN量子阱层和低温Al_zGa_1‑zN量子垒层，每个周期中，所述低温Al_xIn_yGa_1‑x‑yN量子阱层中Al组分x为固定值，In组分y为固定值，低温Al_zGa_1‑zN量子垒层中Al组分z为非固定值，Al组分z沿外延生长方向全部或部分逐渐增大，且低温Al_zGa_1‑zN量子垒层中的Al组分不低于低温Al_xIn_yGa_1‑x‑yN量子阱层中的Al组分x，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层的发光波长为365~400nm；位于所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑GaN层。