[实用新型]一种双p-n结晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201620093302.2 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN205542843U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0224 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种双p-n结晶体硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该电池由下至上依次包括Ag背电极、第一减反膜、第二减反膜、Ag正电极及设置在太阳能电池两侧的金属线电极;还包括设置在第一减反膜与第二减反膜之间的双p-n结结构,该双p-n结结构在太阳能电池的背面和正面各形成一个P-N结。本实用新型通过在太阳能电池的背面和正面各制备一个P-N结,使得太阳能电池的正面和背面都能有效的利用太阳光子,从而大大提高电池的电流,从而提升电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 结晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种双p‑n结晶体硅太阳能电池,该电池由下至上依次包括Ag背电极(1)、第一减反膜(2)、第二减反膜(6)、Ag正电极(7)及设置在太阳能电池两侧的金属线电极(8);其特征在于,还包括设置在第一减反膜(2)与第二减反膜(6)之间的双p‑n结结构,该双p‑n结结构在太阳能电池的背面和正面各形成一个P‑N结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的