[实用新型]高压等离子体电源有效

专利信息
申请号: 201620066964.0 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN206135741U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 戴斌;王贤斌;陶忠元 申请(专利权)人: 南京威登等离子科技设备有限公司
主分类号: H02M9/06 分类号: H02M9/06
代理公司: 南京众联专利代理有限公司32206 代理人: 杜静静
地址: 210008 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种高压等离子体电源,所述高压等离子体电源包括三相半控整流电路、延时启动电路,滤波储能电路、全桥电路、LC串联谐振电路、倍压整流电路、功率调节电路、反馈控制电路、变频电路、IGBT全桥驱动电路、报警电路;所述三相半控整流电路通过全桥电路、LC串联谐振电路连接高压变压器,所述功率调节电路和反馈控制电路连接反馈控制电路,所述反馈控制电路通过变频电路连接全桥驱动电路。
搜索关键词: 高压 等离子体 电源
【主权项】:
一种高压等离子体电源,其特征在于,所述高压等离子体电源包括三相半控整流电路、延时启动电路,滤波储能电路、全桥电路、LC串联谐振电路、倍压整流电路、功率调节电路、反馈控制电路、变频电路、IGBT全桥驱动电路、报警电路,所述三相半控整流电路通过全桥电路、LC串联谐振电路连接高压变压器,所述反馈控制电路通过变频电路连接全桥驱动电路,所述三相半控整流电路由半控整流桥BR1,电阻R1~6,电容C11,C18~20,二极管D1及接插件H18连接至辅助电源共同完成,控制电源经插件H18连接R3,R6,C20控制L1相;控制电源经插件H18连接R1,R5,C19控制L2相;控制电源经插件H18连接R2,R4,C18控制L3相,二极管D1经接插件H18反向连接至辅助电源起保护作用;所述延时启动电路由二极管D2,D10,D11,电阻R11~14组成,延时启动由控制电源产生,通过接插件H18连接到R11~14,再通过D2,D10,D11连接到三相交流电源,所述滤波储能电路由电容C24~31,电阻R24,R26组成,电容C24,C26并联后连接C28与C30并联,电容C12并接电容C13滤出高频干扰,电阻R24连接R26为储能电容提供能量卸放回路,电阻R24,R26为储能电容提供能量卸放回路,所述全桥电路由两个IGBT0模块Q19,Q20组成全桥电路,瞬态吸收二极管Z3~Z6和电容C16,C17,C22,C23组成IGBT模块保护电路;电阻R30,R15,R113,R20,R32,R8,R114,R17为栅极串联电阻,电阻R10,R19,R16,R22为栅极并联电阻,所述栅极串联电阻和栅极并联电阻为IGBT驱动电路的一部分,为减小开关时间和损耗,设计时尽量靠近IGBT模块,电阻R15,R16,R30连接瞬态吸收二极管Z4组成Q20栅极驱动G1,电阻R113,R20,R22连接瞬态吸收二极管Z6组成Q20栅极驱动G2,电阻R32,R8,R10连接瞬态吸收二极管Z3组成Q19栅极驱动G3,电阻R114,R17,R19连接瞬态吸收二极管Z5组成Q19栅极驱动G4;C16,C22连接Q20的漏源极,C17,C23连接Q19的漏源极组成IGBT模块漏源保护电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京威登等离子科技设备有限公司,未经南京威登等离子科技设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620066964.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top