[实用新型]一种太赫兹GaN耿氏二极管

摘要

本实用新型涉及一种太赫兹GaN耿氏二极管，包括由下往上依次设置的阴极、n型GaN衬底、n⁺GaN阴极欧姆接触层、InAlN三维结构电子发射层、n^-GaN渡越层、n⁺GaN阳极欧姆接触层、阳极，还包括设置在n型GaN衬底上并包裹在n⁺GaN阴极欧姆接触层、InAlN三维结构电子发射层、n^-GaN渡越层、n⁺GaN阳极欧姆接触层、阳极外部的SiN钝化层，SiN钝化层的上部设置有露出阳极的开孔。本实用新型采用了三维结构的InAlN电子发射层结构，增大了GaN阴极欧姆接触层和电子发射层有效接触面积，提升了GaN耿式二极管输出功率密度，而且在同等性能下显著提高功率转换效率以及降低器件功耗。

主权项

一种太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，包括由下往上依次设置的阴极(4)、n型GaN衬底(7)、n⁺GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN三维结构电子发射层(8)、n^‑GaN渡越层(9)、n⁺GaN阳极欧姆接触层(2)、阳极(3)，还包括设置在n型GaN衬底(7)上并包裹在所述n⁺GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN三维结构电子发射层(8)、n^‑GaN渡越层(9)、n⁺GaN阳极欧姆接触层(2)、阳极(3)外部的SiN钝化层(5)，所述SiN钝化层(5)的上部设置有露出所述阳极(3)的开孔(6)。