[发明专利]一种电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201611270174.5 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269936B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 段炼;宾正杨;李梦真 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司;清华大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人: 张杰
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及有机电致发光领域,所述的电极包括第一膜层,包括第一膜层,所述第一膜层包括由至少一种惰性金属单质与如式(1)‑式(12)所示的至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述电子传输材料具有配位能力,且包含N∧O和/或N∧N杂环。研究发现惰性金属与具有配位性能的电子传输材料(如Bphen)共掺杂,通过电子传输材料与惰性金属离子发生配位作用促进惰性金属失去电子,降低其功函数,使得惰性金属实现与活泼碱金属类似的n型掺杂效果,提高电子传输材料的传输特性。因此,该电极不仅可以保持所述电极高效的n型掺杂特性,而且能够呈现更好可见光吸收特性,可以作为很好的黑电极,从而提高显示的对比度。
搜索关键词: 电子传输材料 惰性金属 第一膜层 式( 1 ) 电极 有机电致发光 活泼碱金属 可见光吸收 配位化合物 传输特性 离子发生 配位能力 配位性能 配位作用 功函数 共掺杂 黑电极 单质 杂环 发现 研究
【主权项】:
1.一种电极,包括第一膜层,其特征在于,所述第一膜层包括由至少一种惰性金属单质与至少一种电子传输材料形成的至少一种配位化合物,其中,所述电子传输材料具有配位能力,且包含N^O和/或N^N杂环,所述惰性金属材料与所述电子传输材料的质量比为5:100-50:100;所述第一膜层的厚度为100nm-300nm,所述惰性金属为钛Ti、钒V、锆Zr、铌Nb、钼Mo、锝Tc、银Ag、镉Cd、钽Ta、钨W、铼Re、铱Ir、金Au、铂Pt、汞Hg中的至少一种;/n其中,所述电极的制备方法包括以下步骤:/n通过共蒸镀工艺形成第一膜层,/n其中,惰性金属材料的蒸镀速率为
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